Research

 

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記憶體電路設計實驗室(Memory Design Lab)隸屬於清大電機系統組、清大電子所、電機系LARC研究群、清大積體電路設計中心、清大快閃記憶體技術研發中心與台積電-清大聯合研發中心，由張 孟凡老師親自指導。張孟凡老師有著非常豐富的職場歷練，對於職場文化及能力要求十分了解，因此實驗室的研究題目一直都能以符合現下記憶體市場的需求以及業 界的研發方向為主。此外，本實驗室也提供了很多與業界合作計畫的管道。由於跟多家IC設計公司以及先進製程晶圓代工公司合作，研究生們可以藉此了解現下各 類型記憶體電路研發的趨勢，進而建構出符合市場需求的電路架構，與業界接軌。也能藉由早點接觸並且了解職場，將自己調適到最佳的狀態。除了電路技巧及創新 能力的訓練之外，本實驗室更希望能培養研究生們正向且積極的做事態度，為未來的研究生涯做好準備。  

本實驗室的研究方向主要為記憶體電路及其周邊電路。主要可以分為以下幾類：

• 奈米記憶體電路設計
  使用先進奈米製程設計SRAM、ROM跟DRAM等種類的記憶體電路，
  針對各種規格如：製程變異容忍度、操作速度、良率、Wide-VDD等
  進行改善與最佳化。

• 非揮發性記憶體電路設計
  設計高速非揮發性記憶體電路如：Flash、OTP、MTP
  以及ROM。研究並發展Multi-level非揮發性記憶體以提
  高Memory density的方式來降低bit-cost，並致力於降低非
  揮發性記憶體電路的操作電壓以提高電路操作效率。

• 綠能記憶體
  運用MOSFET在Subthreshold region下的特性設計低操作電壓的記憶體
  電路，同時研究開發電路架構降低綠能記憶體的耗能以達到省能的目的。

• 下世代記憶體電路設計
  除了現下市場上的記憶體電路之外，本實驗室也致力於開發下個世代的記憶體電路如：
  3D-Memory、ReRAM、PCRAM、STT-RAM、CNT及Quantum-dot memory等等，放眼未來，跟上時代的腳步。

• New Memory Structure for Cloud and Big-Data computing

• 運用於記憶體電路裡的類比電路如：
  感測訊號的感測放大器(Sense amplifier)、 電荷幫浦(Charge pump)和降壓轉換器(LDO)等周邊類比電路。

• 生醫晶片用記憶體電路

• 記憶電阻(憶阻器)